TSM4NB65CH C5G Scheda dati
Specifiche per TSM4NB65CH C5G
Numero parte : TSM4NB65CH C5G
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.37 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13.46nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 549pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 70W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-251 (IPAK)
Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
599495 pezzi
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