TRS6E65C,S1AQ Scheda dati
Specifiche per TRS6E65C,S1AQ
Numero parte : TRS6E65C,S1AQ
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Corrente: media rettificata (Io) : 6A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 6A
Velocità : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 90µA @ 650V
Capacità @ Vr, F : 35pF @ 650V, 1MHz
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-2L
Temperatura operativa - Giunzione : 175°C (Max)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
76025 pezzi
Prezzo di riferimento
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