TPS1100DG4 Scheda dati
Specifiche per TPS1100DG4
Numero parte : TPS1100DG4
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.45nC @ 10V
Vgs (massimo) : +2V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 791mW (Ta)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-TPS1100DG4
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
485820 pezzi
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