TPH4R10ANL,L1Q Scheda dati
Specifiche per TPH4R10ANL,L1Q
Numero parte : TPH4R10ANL,L1Q
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie : U-MOSVIII-H
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 92A (Ta), 70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6.3nF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 67W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
688660 pezzi
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