TPH3212PS Scheda dati
Specifiche per TPH3212PS
Numero parte : TPH3212PS
fabbricante : Transphorm
Descrizione : GANFET N-CH 650V 27A TO220
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 17A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 400uA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 8V
Vgs (massimo) : ±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1130pF @ 400V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 104W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-TPH3212PS
fabbricante
Breve descrizione
GANFET N-CH 650V 27A TO220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
40218 pezzi
Prezzo di riferimento
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