TPH2900ENH,L1Q Scheda dati
Specifiche per TPH2900ENH,L1Q
Numero parte : TPH2900ENH,L1Q
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Serie : U-MOSVIII-H
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 33A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 78W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
440630 pezzi
Prezzo di riferimento
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