TPCP8103-H(TE85LFM Scheda dati
Specifiche per TPCP8103-H(TE85LFM
Numero parte : TPCP8103-H(TE85LFM
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
Serie : U-MOSIII-H
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 840mW (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PS-8 (2.9x2.4)
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9776 pezzi
Prezzo di riferimento
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