Specifiche per TPC8212-H(TE12LQ,M

Numero parte : TPC8212-H(TE12LQ,M
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 10V
Potenza - Max : 450mW
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP (5.5x6.0)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
27342 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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