TPC8062-H,LQ(CM Scheda dati
Specifiche per TPC8062-H,LQ(CM
Numero parte : TPC8062-H,LQ(CM
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Serie : U-MOSVII-H
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
569970 pezzi
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