TPC8038-H(TE12L,Q) Scheda dati
Specifiche per TPC8038-H(TE12L,Q)
Numero parte : TPC8038-H(TE12L,Q)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
Serie : U-MOSV-H
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.4 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
6880 pezzi
Prezzo di riferimento
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