TN2510N8-G Scheda dati
Specifiche per TN2510N8-G
Numero parte : TN2510N8-G
fabbricante : Microchip Technology
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 730mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 125pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-243AA (SOT-89)
Pacchetto / caso : TO-243AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-TN2510N8-G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
597350 pezzi
Prezzo di riferimento
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