TK8Q65W,S1Q Scheda dati
Specifiche per TK8Q65W,S1Q
Numero parte : TK8Q65W,S1Q
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Serie : DTMOSIV
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 570pF @ 300V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 80W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK
Pacchetto / caso : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-TK8Q65W,S1Q
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
299745 pezzi
Prezzo di riferimento
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