TK40E10N1,S1X Scheda dati
Specifiche per TK40E10N1,S1X
Numero parte : TK40E10N1,S1X
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N CH 100V 90A TO220
Serie : U-MOSVIII-H
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 126W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N CH 100V 90A TO220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
258340 pezzi
Prezzo di riferimento
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