TK30A06N1,S4X Scheda dati
Specifiche per TK30A06N1,S4X
Numero parte :
TK30A06N1,S4X
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
Serie :
U-MOSVIII-H
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1050pF @ 30V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
25W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-220SIS
Pacchetto / caso :
TO-220-3 Full Pack
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
497450 pezzi
Prezzo di riferimento
Il nostro prezzo
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