TK10E60W,S1VX Scheda dati
Specifiche per TK10E60W,S1VX
Numero parte : TK10E60W,S1VX
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Serie : DTMOSIV
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 300V
Caratteristica FET : Super Junction
Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
166995 pezzi
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