TJ80S04M3L(T6L1,NQ Scheda dati
Specifiche per TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Numero parte : TJ80S04M3L(T6L1,NQ
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
Serie : U-MOSVI
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 158nC @ 10V
Vgs (massimo) : +10V, -20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7770pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)
temperatura di esercizio : 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK+
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
513845 pezzi
Prezzo di riferimento
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