STL10N60M2 Scheda dati
Specifiche per STL10N60M2
Numero parte : STL10N60M2
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
Serie : MDmesh™ II Plus
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13.5nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 48W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerFlat™ (5x6) HV
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-STL10N60M2
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
379810 pezzi
Prezzo di riferimento
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