SSM6N7002BFU(T5L,F Scheda dati
Specifiche per SSM6N7002BFU(T5L,F
Numero parte : SSM6N7002BFU(T5L,F
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 17pF @ 25V
Potenza - Max : 300mW
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore : US6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
32557 pezzi
Prezzo di riferimento
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