Specifiche per SSM6L36FE,LM

Numero parte : SSM6L36FE,LM
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 500mA, 330mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 630 mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.23nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 10V
Potenza - Max : 150mW
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore : ES6 (1.6x1.6)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
5845085 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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