SSM6K202FE,LF Scheda dati
Specifiche per SSM6K202FE,LF
Numero parte : SSM6K202FE,LF
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 1.5A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : ES6 (1.6x1.6)
Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3016815 pezzi
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