SSM3K35MFV(TPL3) Scheda dati
Specifiche per SSM3K35MFV(TPL3)
Numero parte : SSM3K35MFV(TPL3)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM
Serie : π-MOSVI
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 180mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9.5pF @ 3V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 150mW (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : VESM
Pacchetto / caso : SOT-723
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9752 pezzi
Prezzo di riferimento
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