SSM3J46CTB(TPL3) Scheda dati
Specifiche per SSM3J46CTB(TPL3)
Numero parte : SSM3J46CTB(TPL3)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
Serie : U-MOSVI
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : CST3B
Pacchetto / caso : 3-SMD, No Lead
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4673730 pezzi
Prezzo di riferimento
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