Specifiche per SSM3J353F,LF

Numero parte : SSM3J353F,LF
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Serie : U-MOSVI
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : +20V, -25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 159pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 600mW (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : S-Mini
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
5437285 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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