SSM3J306T(TE85L,F) Scheda dati
Specifiche per SSM3J306T(TE85L,F)
Numero parte : SSM3J306T(TE85L,F)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 117 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 15V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TSM
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
23168 pezzi
Prezzo di riferimento
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