Specifiche per SQJQ900E-T1_GE3

Numero parte : SQJQ900E-T1_GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5900pF @ 20V
Potenza - Max : 75W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : PowerPAK® 8 x 8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 8 x 8 Dual
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
371880 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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