SQJ422EP-T1_GE3 Scheda dati
Specifiche per SQJ422EP-T1_GE3
Numero parte :
SQJ422EP-T1_GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
74A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4660pF @ 20V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
83W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso :
PowerPAK® SO-8
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
590035 pezzi
Prezzo di riferimento
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