SQ4532AEY-T1_GE3 Scheda dati
Specifiche per SQ4532AEY-T1_GE3
Numero parte : SQ4532AEY-T1_GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Potenza - Max : 3.3W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1230705 pezzi
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