SPD08P06P Scheda dati
Specifiche per SPD08P06P
Numero parte : SPD08P06P
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
Serie : SIPMOS®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.83A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 42W (Tc)
temperatura di esercizio : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-SPD08P06P
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
51270 pezzi
Prezzo di riferimento
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