SP8K4FU6TB Scheda dati
Specifiche per SP8K4FU6TB
Numero parte : SP8K4FU6TB
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1190pF @ 10V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-SP8K4FU6TB
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
27510 pezzi
Prezzo di riferimento
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