SP8K3FU6TB Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Specifiche per SP8K3FU6TB

Numero parte : SP8K3FU6TB

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 10V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

SP8K3FU6TB

Numero parte interna

AX-SP8K3FU6TB

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

27510 pezzi

Prezzo di riferimento

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