SIS990DN-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SIS990DN-T1-GE3
Numero parte : SIS990DN-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 50V
Potenza - Max : 25W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8 Dual
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1071900 pezzi
Prezzo di riferimento
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