SIE816DF-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SIE816DF-T1-GE3
Numero parte : SIE816DF-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.4 mOhm @ 19.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 30V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 10-PolarPAK® (L)
Pacchetto / caso : 10-PolarPAK® (L)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
11888 pezzi
Prezzo di riferimento
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