SIB912DK-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SIB912DK-T1-GE3
Numero parte :
SIB912DK-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
95pF @ 10V
Potenza - Max :
3.1W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2355105 pezzi
Prezzo di riferimento
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