SIA533EDJ-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SIA533EDJ-T1-GE3
Numero parte : SIA533EDJ-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 6V
Potenza - Max : 7.8W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1918935 pezzi
Prezzo di riferimento
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