SI6968BEDQ-T1-E3 Scheda dati
Specifiche per SI6968BEDQ-T1-E3
Numero parte : SI6968BEDQ-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSSOP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
712810 pezzi
Prezzo di riferimento
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