SI5920DC-T1-E3 Scheda dati
Specifiche per SI5920DC-T1-E3
Numero parte : SI5920DC-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 4V
Potenza - Max : 3.12W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore : 1206-8 ChipFET™
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
26894 pezzi
Prezzo di riferimento
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