SI5515CDC-T1-E3 Scheda dati
Specifiche per SI5515CDC-T1-E3
Numero parte : SI5515CDC-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 632pF @ 10V
Potenza - Max : 3.1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore : 1206-8 ChipFET™
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1313680 pezzi
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