SI4862DY-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SI4862DY-T1-GE3
Numero parte : SI4862DY-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 16V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 17A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
266345 pezzi
Prezzo di riferimento
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