SI4590DY-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SI4590DY-T1-GE3
Numero parte : SI4590DY-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : -
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 50V
Potenza - Max : 2.4W, 3.4W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1139975 pezzi
Prezzo di riferimento
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