SI4501ADY-T1-E3 Scheda dati
Specifiche per SI4501ADY-T1-E3
Numero parte : SI4501ADY-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel, Common Drain
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V, 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 1.3W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
26824 pezzi
Prezzo di riferimento
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