SI4310BDY-T1-E3 Scheda dati
Specifiche per SI4310BDY-T1-E3
Numero parte : SI4310BDY-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.5A, 9.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2370pF @ 15V
Potenza - Max : 1.14W, 1.47W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 14-SOIC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
27727 pezzi
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