SI3588DV-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SI3588DV-T1-GE3
Numero parte : SI3588DV-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 830mW, 83mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
27622 pezzi
Prezzo di riferimento
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