SI2372DS-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SI2372DS-T1-GE3
Numero parte : SI2372DS-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CHAN 30V SOT23
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.9nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 288pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CHAN 30V SOT23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4265705 pezzi
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