SI2331DS-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SI2331DS-T1-GE3
Numero parte : SI2331DS-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 6V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 710mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
51960 pezzi
Prezzo di riferimento
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