RSH110N03TB1 Scheda dati
Specifiche per RSH110N03TB1
Numero parte : RSH110N03TB1
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 11A SOP8
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 5V
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)
temperatura di esercizio : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-RSH110N03TB1
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
932965 pezzi
Prezzo di riferimento
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