RQ3E070BNTB Scheda dati
Specifiche per RQ3E070BNTB
Numero parte : RQ3E070BNTB
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.9nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-RQ3E070BNTB
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4723300 pezzi
Prezzo di riferimento
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