RN2109MFV,L3F Scheda dati
Specifiche per RN2109MFV,L3F
Numero parte : RN2109MFV,L3F
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) : 22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA
Frequenza - Transizione : -
Potenza - Max : 150mW
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore : VESM
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
16135505 pezzi
Prezzo di riferimento
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