RN1967FE(TE85L,F) Scheda dati
Specifiche per RN1967FE(TE85L,F)
Numero parte : RN1967FE(TE85L,F)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Transistor Type : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) : 47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) : 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione : 250MHz
Potenza - Max : 100mW
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore : ES6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
16400 pezzi
Prezzo di riferimento
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