RFD14N05LSM9A Scheda dati
Specifiche per RFD14N05LSM9A
Numero parte : RFD14N05LSM9A
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 14A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 670pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 48W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252AA
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1341725 pezzi
Prezzo di riferimento
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