Specifiche per RD3T100CNTL1

Numero parte : RD3T100CNTL1
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : NCH 200V 10A POWER MOSFET
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.25V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 85W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
NCH 200V 10A POWER MOSFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
750565 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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